MOD. EN INFORMATICA: MEMORIA RAM

RAM

TIEMPO DE REFRESCO:

El refresco o latencia es el tiempo en que carga en recargar eléctricamente las celdas de memoria. SDRAM DDR 2,4 V. Voltaje 3,3 voltios.

T. DE ACCESO:

Es el tiempo requerido o necesario que se necesita desde que se lanza la operación de lectura o escrito en la memoria, el instante que se dispone a la información buscada. También tiempo que se solicita a la memoria para poder ejecutar cualquier operación específica.

BUFFER DE DATOS PARIDAD:

Es el espacio de memoria, en el que almacenamos datos que el programa o recurso que los requiere, ya sea software o hardware, se quede en algún momento sin datos.

La paridad es un método de codificación que comprende: recibir bits de información, y generar.

Se utiliza para detectar, y corregir errores en la transmisión. Se trata de añadir un bit adicional de control que nos indica un numero de uno de los contenidos si es par es 0 y si es impar.

ESTRUCTURA FISICA DE LA RAM

Conectores por los 2 lados. Normalmente tienen 168 contactos divididos en 2 caras. 32 x 2 = 64 bits.

Módulos SIMM Son unos módulos de memoria que se “pinchan” en unas ranuras existentes en la placa base.

Después de los mudos SIMM, aparecieron los módulos de memoria DIMM que permiten recibir y transmitir 64 bits de datos en paralelo

RAM VOLATIL

Es volátil, que solamente almacena datos mientras recibe electricidad. Por lo tanto, cada vez que el equipo se apaga, todos los datos de la memoria se borran.

Se denominada Memoria de Acceso Aleatorio, es un área de almacenamiento a corto plazo para cualquier tipo de dato que en la computadora se esté ejecutando.

ALMACENAMIENTO DE LA RAM

Asíncrona es la que no está sincronizada por los ciclos del reloj. Según ha avanzado la velocidad de las memorias han ido dando paso a la síncrona, ya q son más rápidas.

ASINCRONA: La señal de validación de los datos (reloj) se genera de forma independiente en el transmisor y receptor.

SINCRONA: Se envía una señal de reloj auxiliar que validad el dato.

MODULOS RAM

DIP: Es un circuito integrado electrónico compuesto por un conjunto de componentes conectados entre si e incluidos en una placa de silicio de menos 1 mm, formando un conjunto en miniatura capaz de desarrollar las mismas funciones que un circuito formados por elementos discretos.

SIPP: Es un circuito impreso o modulo, en el cual se montan varios (chips) de memoria RAM, con una distribución de pines correlativos. Es alargado y tiene alrededor de 30 pines, estos encajan en las ranuras de la placa base y su ministran 4 bits por modulo.

SIMM: Es un tipo de encapsulado compacto en un placa de circuito impreso que almacena chips de memoria en la que se encajan en un zócalo SIMM sobre la placa base, sus zócalos son blancos.

DIMM: Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se coloca directamente en ranuras de la placa madre, se usa en un conector de 168 contactos y sus zócalos generalmente son negros.

RIMM: Denomina al patrón de la RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los (chips) del módulo.

MÓDULOS PARA PORTÁTILES

MEMORIAS ASINCRONAS

DRAM: RAM dinámica, son memorias RAM cuyo elemento básico de almacenamiento es el capacitor, se le denomina dinámica debido a que es necesario aplicarle un ciclo de refresco para evitar que se pierda la información en ellas almacenada.

FPM: Memoria muy popular, ya que era la que se incluía en los antiguos 386, 486 y primeros Pentium. Alcanza velocidades de hasta 60 ns. Se encuentra en los SIMM de 30 contactos y los posteriores de 72.

EDO: La memoria EDO es un tipo de memoria asíncrona, el cual permite al controlador de memoria procesar los datos más rápido que la memoria FPM. Operación buses de memoria de 66MHz con velocidades que van de los 50 a 70 nanosegundos.

BEDO Tecnología de memoria RAM que realiza la transferencia de datos en ráfaga por un conducto propio de transferencia. Opera con buses de memoria de 66MHz a 52 nanosegundos.

MEMORIA SINCRONA

DDR SDRAM: La memoria DDR SDRAM es una tecnología de memoria síncrona que permite la transferencia de datos durante los estados de transición de alto y bajo de las señales de entrada y salida, puede trabajar con buses de memoria superiores a los Z125MHz.

PC-100 DRAM: Es un tipo de memoria SDRAM que cumple unas estrictas normas referentes a calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos establecidas por Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la memoria RAM a velocidades de bus de 100 MHz.

PC-133 DRAM: Muy parecida a la anterior y de grandes exigencias técnicas para garantizar que el módulo de memoria que la cumpla funcione correctamente a las nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a los últimos Pentium

PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz